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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-06-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB11N52K3
N-channel 525 V, 0.41 Ohm, 10 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi IRFW530ATM fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
3.8W 20V 27nC@ 10V 1individualNChannel 100V 110m¦¸@ 10V 14A 610pF@ 25V TO-263 SMD mount£¬glue mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:14A; On Resistance, Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fiches techniques et documents
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