onsemi IRFS630B

Name: onsemi IRFS630B
Brand: onsemi
SKU: IRFS630B

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

$ 0.617

Obsolete

Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

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Distributor	SKU		Min
Verical	IRFS630B	743	455				0,685	0,611
Rochester Electronics	IRFS630B	743				0,661	0,548	0,489	5h
Component Stockers USA	IRFS630B	1 607		0,550	0,550	0,520	0,520	0,520	>1wk
Win Source	WS-IRFS630B	56 800	145				0,300	0,269	6h
Anlinkda	IRFS630B	32 666		0,690	0,618	0,525	0,515	0,494	2d

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-04-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de onsemi IRFS630B fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF

Bettlink

MISCELLANEOUS MOSFETS;

Farnell

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFS630B.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220-3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance400 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation38 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation38 W

Turn-Off Delay Time60 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Dimensions

Height19.5 mm

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

Conformité

Classification environnementale

REACH SVHCYes

RoHSNon-Compliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans