onsemi HUFA75639S3ST
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
onsemiHUF75639S3ST
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
InfineonAUIRF3710ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
onsemiHUF75637S3S
44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Descriptions
Descriptions de onsemi HUFA75639S3ST fournies par ses distributeurs.
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 56A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Transistor,mosfet,n-Channel,100V V(Br)Dss,56A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi HUFA75639S3ST
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)56 A
Current Rating56 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité