onsemi HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Component Stockers USAHGTG18N120BN20 930
3d
Win SourceWS-HGTG18N120BN3082
11h
Worldway ElectronicsHGTG18N120BN11 9077Tube
1d
AztechHGTG18N120BN6 017
1d
SHENGYU ELECTRONICSHGTG18N120BN16 7581
5d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi HGTG18N120BN.

onsemi

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IHS

Upverter

TME

Fairchild Semiconductor

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)

Pièces détachées

onsemiFGH25T120SMD-F155
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
onsemiHGTG11N120CN
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Détails
InfineonIRGP30B120KD-EP
IRGP30B120KD-EP Series 1200 V 30 A N-Channel Motor Control Co-Pack IGBT TO-247AD
Détails
LittelfuseIXDH30N120D1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Détails
LittelfuseIXDH30N120
NPT 1200 V 60 A 300 W Flange Mount High Voltage IGBT - TO-247AD
Détails
InfineonIRG4PH40UPBF
IRG4PH40U Series 1200 V 21 A N-Channel UltraFast Speed IGBT - TO-247AC
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi HGTG18N120BN fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Verical
54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT | IGBT 1200V 54A 390W TO247
Win Source
Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IHS
PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247
Master Electronics
390W 2.45V 2.7V@ 15V,18A 54A TO-247-3 15.87mm*4.82mm*20.82mm
UnikeyIC
54 A 1200 V N-CHANNEL IGBT TO-247
Component Stockers USA
IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-
Vigor Components
IGBT; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:54A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2.7V; Power Dissipation, Pd:390W; Package/Case:TO-247 ;RoHS Compliant: Yes
Newark
HGTG18N120BN is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.
Fairchild Semiconductor

Images

Newark
TME
Rochester Electronics
UTSource

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd