onsemi H11G1M
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date1998-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi H11G1M fournies par ses distributeurs.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP W Bulk
Avnet Japan
6-Pin DIP High Voltage Photodarlington Output Optocoupler
DIP-6 Through Hole Single Channel 100 V 4170 Vrms Photo Darlington Optocoupler
OPTOCOUPLER, DARLINGTON, 7.5KV, DIP-6; No. of Channels: 1 Channel; Optocoupler Case Style: DIP; No. of Pins: 6Pins; Forward Current If Max: 60mA; Isolation Voltage: 7.5kV; CTR Min: 500%; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V
The H11G1M and H11G2M are photodarlington-type optically coupled optocouplers. These devices have a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Transfer Ratio1000 %
Dark Current100 nA
Fall Time100 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage4170 Vrms
Max Input Current60 mA
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage100 V
Max Power Dissipation260 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation290 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time5 µs
Schedule B8541408000
Turn-Off Delay Time100 µs
Turn-On Delay Time5 µs
Dimensions
Height5.08 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité