onsemi GBPC1206W
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishayGBPC3506-E4/51
GBPC Series 600V 400 A Glass Passivated Single Phase Bridge Power Module - GBPC
VishayGBPC3504-E4/51
GBPC Series 400 V 400 A Quick Connect Single Phase Bridge Power Module - GBPC
VishayGBPC2510W-E4/51
GBPC Series 1000V 300 A Glass Passivated Single Phase Bridge Power Module - GBPC
Descriptions
Descriptions de onsemi GBPC1206W fournies par ses distributeurs.
HIGH CURRENT SILICON BRIDGE RECTIFIER | BRIDGE RECT 1P 600V 12A GBPC-W
12A, 600V GLASS PASS. BRIDGE RECT. IN GBPC-W WITH WI
Diode Rectifier Bridge Single 600V 12A 4-Pin Case GBPC-W Bulk
Avnet Japan
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 12A, 600V V(RRM), Silicon
Bridge Rectifiers 12A Bridge Rectifier
BRIDGE RECTIFIER, 12A, 600V, GBPCW; No. of Phases:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:600V; Forward Current If(AV):12A; Forward Voltage VF Max:1.1V; Power Dissipation Pd:83.3W; Diode Mounting Type:Through Hole; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Bridge Rectifier Case Style:GBPC-W; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); No. of Phases:Single; Package / Case:GBPC-W; Termination Type:Through Hole
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageModule
Contact PlatingNickel
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight17.21 g
Technical
Capacitance180 pF
Current Rating12 A
Element ConfigurationSingle
Forward Current12 A
Forward Voltage1.1 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)300 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current12 A
Max Power Dissipation83.3 W
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)600 V
Max Reverse Leakage Current5 µA
Max Surge Current300 A
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements4
Output Current12 A
PackagingBulk
Peak Non-Repetitive Surge Current300 A
Peak Reverse Current5 µA
Power Dissipation83.3 W
Reverse Standoff Voltage600 V
Reverse Voltage600 V
Schedule B8541100080
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height11.23 mm
Length29 mm
Width29 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité