onsemi FQU5N40TU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FQU5N40TU fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 3.4 A, 1.6 Ω, IPAK
N-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max1.6 Ω
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height6.1 mm
Length6.6 mm
Width2.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité