Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQU20N06TU | 2 994 | 647 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQU20N06TU | 20 176 | 12h | |||||||||
| Microchip USA | FQU20N06TU | 300 | 600 | Tray | 7h | |||||||
| Worldway Electronics | FQU20N06TU | 27 441 | 7 | Tube | 12h | |||||||
| Klychip | FQU20N06TU | Contact | 1 | >1wk |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Pièces détachées
InfineonIRLU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
InfineonIRFU024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;I-Pak (TO-251AA);PD 45W
Descriptions
Descriptions de onsemi FQU20N06TU fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 60V 16.8A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 60V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 60V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.8 A
Current Rating16.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance590 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max63 mΩ
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité