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Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQT4N20TF.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V SC-73 / Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FQT4N20TF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
2.2W(Tc) 5V@ 250µA 6.5nC@ 10V 1individualNChannel 200V 1.4Ω@ 425mA,10V 220pF@25V SOT-223-4 SMD mount
MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)850 mA
Current Rating850 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance220 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Fiches techniques et documents
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