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Pièces détachées
onsemiHUFA75309T3ST
1.1W(Ta) 4V@ 250µA 23nC@ 20V 1individualNChannel 55V 70mΩ@ 3A,10V 352pF@25V SOT-223-4 SMD mount
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Infineon BSP297L6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)660 mA
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance357 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time3.8 ns
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.8 mm
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité