onsemi FQPF9P25
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-09-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF9P25 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 250 V 0.62 Ohm Through Hole Mosfet - TO-220F
P-Channel QFET® MOSFET -250V, -6A, 620mΩ
MOSFET, P-CH, -250V, -6A, TO-220F-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -6A; Drain Source Voltage Vds: -250V; On Resistance Rds(on): 0.48ohm; Rds(on) Test Volta; Available until stocks are exhausted
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating-6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-250 V
Drain to Source Resistance620 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max620 mΩ
Resistance620 mΩ
Rise Time150 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-250 V
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité