onsemi FQPF7P20
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF7P20 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -200 V, -5.2 A, 690 mΩ, TO-220F
onsemi PMOS QFET, Vds=200 V, 5.2 A, TO-220F, , 3
Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, 200V, 5A, 150DEG C, 45W;
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Current Rating-5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max690 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-200 V
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité