onsemi FQPF20N06L
$ 0.702
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQPF20N06L | 152 | 16h | |||||||||
| Flip Electronics | FQPF20N06L | 31 616 | 6d | |||||||||
| Avnet | FQPF20N06L | 0 | 379 | 18h | ||||||||
| Farnell | FQPF20N06L | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| Microchip USA | FQPF20N06L | 323 | 600 | Tube | 8h |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.702
$ 0.647
Stock
173,612
268,378
Authorized Distributors
4
4
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
15.7 A
15 A
Threshold Voltage
1 V
-
Rds On Max
55 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
25 V
Power Dissipation
30 W
30 W
Input Capacitance
630 pF
590 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Pièces détachées
InfineonIRFIZ24EPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
InfineonIRFIZ24NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.07Ohm;ID 14A;TO-220 Full-Pak;PD 29W;-55deg
InfineonIRLIB9343PBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -14A, 105 mOhm, 31 nC Qg, Logic Level, TO-220 FULLPACK
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF20N06L fournies par ses distributeurs.
N-Channel QFET® MOSFET 60V, 15.7A, 52mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 15.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
60 V LOGIC N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15.7A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 60V, 15.7A, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15.7 A
Current Rating15.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance630 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation30 W
Rds On Max55 mΩ
Rise Time156 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité