onsemi FQPF10N50CF
$ 1.175
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -14.29%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FQPF10N50CF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF13NK50Z
N-channel 500 V, 0.4 Ohm, 11 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF10N50CF fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, FRFET®, 500 V, 10 A, 610 mΩ, TO-220F
Single N-Channel 500 V 48 W 56 nC DMOS Through Hole Mosfet - TO-220F-3
N-CHANNEL QFET FRFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:Enhancement; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:500V; Current, Id Cont:10A; Resistance, Rds On:0.61ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220F; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:40A; Pins, No. of:3; Power Dissipation:48W; Voltage, Vds Max:500V; Voltage, Vgs th Max:4V
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -14.29%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance610 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.096 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation48 W
Rds On Max610 mΩ
Resistance610 mΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time141 ns
Turn-On Delay Time29 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité