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onsemi FQP8P10

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -8 A, 530 mΩ, TO-220
$ 0.38
EOL
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Rochester Electronics
FQP8P10
324
USD
0,458
0,380
0,339
8h
Win Source
WS-FQP8P10
180
90
USD
0,644
0,429
0,429
9h
Worldway Electronics
FQP8P10
9 302
7
Tape & Reel
USD
0,252
0,247
0,238
0,233
8h
Anlinkda
FQP8P10
53 334
USD
0,672
0,602
0,515
0,505
0,484
4h
Lixinc
FQP8P10
19 538
USD
0,980
0,871
0,871
0,871
0,871
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQP8P10.

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

element14 APAC

onsemi

Fairchild Semiconductor

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

onsemiFQP17N08
Trans MOSFET N-CH 80V 16.5A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Détails
STMicroelectronicsSTP14NF10
N-channel 100 V, 0.115 Ohm, 15 A STripFET II Power MOSFET in a TO-220 package
Détails
onsemiFQP9N08
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Détails
onsemiFQP19N10L
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Détails
onsemiFQP9N08L
40W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 6.1nC@ 5V 1N 80V 210m¦¸@ 4.65A,10V 280pF@25V TO-220-3
Détails
onsemiFQP15P12
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -120 V, -15 A, 0.2 Ω, DPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQP8P10 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -100 V, -8 A, 530 mΩ, TO-220
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.53ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -4V; Power Dissipation
Farnell
Mosfet, P, To-220; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:8A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):410Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-10V; Tensión Umbral Vgs:-4V |Onsemi FQP8P10.
Newark
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Fairchild Semiconductor

Images

RS
Farnell
iiiC
LZChips
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FQP8P10.