onsemi FQD7P06TM
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EOL
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD7P06TM fournies par ses distributeurs.
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -5.4 A, 450 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 60V, 0.451ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, P-CH, -60V, -5.4A, TO-252-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -5.4A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.36ohm; Rds(on) Test Volt; Available until stocks are exhausted
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Current Rating-5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance451 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance295 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation28 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max451 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time7.5 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité