onsemi FQD16N25CTM
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Fiche technique officielleIl y a 4 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD16N25CTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 16 A, 270 mΩ, DPAK
N-Channel 250 V 0.27 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3
160W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 53.5nC@ 10 V 1N 250V 270m¦¸@ 8A,10V 16A 1.08nF@25V TO-252AA 2.52mm
N-CHANNEL MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 250V, 16A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:160W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance270 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time105 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.08 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation160 W
Rds On Max270 mΩ
Resistance270 mΩ
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time135 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité