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onsemi FQD9N25TM

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK
Obsolete
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Win Source
WS-FQD9N25TM
25 000
50
USD
1,061
0,826
0,826
3h
Classic Components
FQD9N25TM
306
USD
0,600
0,600
0,600
17h
Worldway Electronics
FQD9N25TM
8 870
7
Tape & Reel
USD
0,347
0,341
0,328
0,321
1h
AAA CHIPS
FQD9N25TM
1 009
USD
0,412
0,400
0,388
0,388
0,388
4d
Anlinkda
FQD9N25TM
37 074
USD
0,817
0,731
0,628
0,618
0,587
7h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQD9N25TM.

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Technical Drawing1 pageIl y a 3 ans

IHS

Farnell

Future Electronics

onsemi

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

onsemiFQD10N20CTM
Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3
Détails
onsemiFQD12N20TM
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 9.0 A, 280 mΩ, DPAK
Détails
onsemiFQD10N20LTM
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 7.6 A, 380 mΩ, DPAK
Détails
onsemiFQD630TM
2.5W(Ta),46W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 200V 400m¦¸@ 3.5A,10V 550pF@25V DPAK
Détails
STMicroelectronicsSTD8NF25
N-channel 250 V, 318 mOhm typ., 8 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FQD9N25TM fournies par ses distributeurs.

N-Channel Power MOSFET, QFET®, 250 V, 7.4 A, 420 mΩ, DPAK
onsemi
Single N-Channel 250 V 0.42 Ohm 20 nC 2.5 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3
Future Electronics
250 V, 7.4 A, 420 MILLI OHM N-CHANNEL QFET MOSFET Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 250V, 7.4A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.4A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V;
Farnell
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Images

TME
Newark
iiiC
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd