onsemi FQB6N60TM
$ 1.283
Obsolete
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Descriptions
Descriptions de onsemi FQB6N60TM fournies par ses distributeurs.
3.13W(Ta),130W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 25nC@ 10V 1N 600V 1.5¦¸@ 3.1A,10V 1pF@25V D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Field Effect Tube (MOSFET)
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : Restocked
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.2 A
Current Rating6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.13 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité