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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Pièces détachées
onsemiFQB5N60CTM-WS
600V 4.5A 2´Î@10V2.25A 100W 4V@250uA 6.5pF@25V N Channel 515pF@25V 15nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) D2PAK MOSFETs ROHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FQB5N60TM fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance730 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max2 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)600 V
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité