onsemi FJP13009H2TU

FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220
$ 0.859
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkFJP13009H2TU7431
Verical
4
FJP13009H2TU2 000100
Arrow Electronics
2
FJP13009H2TU6951
Master ElectronicsFJP13009H2TU2 00050
Onlinecomponents.comFJP13009H2TU2 00050Bulk

Fiches techniques et documents

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JRH Electronics

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IHS

Fairchild Semiconductor

onsemi

element14 APAC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiFJP13009
Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 8 @ 5A 5V 12A 100W 4MHz
Détails
onsemiFJP13007TU
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
onsemiFJP13007H1TU
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Détails
onsemiKSC5302DTU
TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FJP13009H2TU fournies par ses distributeurs.

FJP13009 Series 400 V CE Breakdown 12 A NPN Power Transistor - TO-220
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Verical
High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
onsemi
TRANSISTOR NPN 400V 12A TO220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:8; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:3V; Current Ic Continuous a Max:12A; Gain Bandwidth ft Typ:4MHz; Hfe Min:6; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Switching
element14 APAC
The FJP13009 is a 700 V, 12 A NPN silicon epitaxial planar transistor. The FJP13009 is available with multiple hFE bin classes for ease of design use. The FJP13009 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard TO-220 package offering flexibility in design and excellent power dissipation.
Fairchild Semiconductor

Images

Augswan
element14 APAC
TME
Newark
RS APAC
iiiC
Master Electronics
Micros
LZChips
Future Electronics
LCSC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FJP13009H2-TU
  • FJP13009H2TU.