onsemi FJD3076TM
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-12-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiNJD2873T4G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 2 A, 1.68 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiFJD3305H1TM
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiKSC5502DTM
Bipolar (BJT) Single Transistor, High Voltage, NPN, 600 V, 2 A, 50 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FJD3076TM fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NPN 10 W 32 V 2 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252
TRANSISTOR,BJT,NPN,32V V(BR)CEO,2A I(C),TO-252AA
Trans GP BJT NPN 32V 2A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min130
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)32 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité