onsemi FJD3305H1TM
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-05-04
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
onsemiFJD5304DTF
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NXP SemiconductorsBUJD103AD,118
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
NXP SemiconductorsBUJD105AD,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi FJD3305H1TM fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
1V@ 1A,4A NPN 1.1W 9V 1μA 700V 400V 4A TO-252AA SMD mount 6.6mm*6.1mm*2.3mm
TAPE REEL/NPN HP BJT, 700V, 4A
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 40
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency4 MHz
Gain Bandwidth Product4 MHz
hFE Min8
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.1 W
Transition Frequency4 MHz
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité