onsemi FGY40T120SMD
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiFGH40T120SMD-F155
IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGWA40H120DF2
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
International RectifierIRG8P50N120KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
onsemiNGTG40N120FL2WG
IGBT 1200V 40A TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247-3
Descriptions
Descriptions de onsemi FGY40T120SMD fournies par ses distributeurs.
IGBT, 1200 V, 40 A Field Stop Trench 1200 V, 40 A Field Stop Trench IGBT
1200V 40A FS2 Trench IGBT - 3LD, POWER TO247, NON JEDEC, LONG LEAD
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 882000mW 3-Pin(3+Tab) Power TO-247 Tube
Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight7.629 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation882 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation882 W
Reverse Recovery Time65 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time475 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité