onsemi FGY160T65SPD-F085
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRGPS46160DPBF
Infineon IRGPS46160DPBF IGBT, 240 A 600 V, 3-Pin Super-247, Through Hole
LittelfuseIXXH110N65C4
Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
LittelfuseIXYH100N65C3
Planar Series - 600V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, TO-247, RoHS
LittelfuseIXXX160N65C4
Trench Series - 650V - 1200V XPT™ (eXtreme-light Punch Through) IGBTs, PLUS247™, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FGY160T65SPD-F085 fournies par ses distributeurs.
650V FS GEN3 TRENCH IGBT / IGBT Trench Field Stop 650 V 240 A 882 W Through Hole TO-247-3
IGBT, 650V, 160A Field Stop, Trench With Soft Fast Recovery Diode
Trans IGBT Chip N-CH 650V 240A 882W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
IGBT, SINGLE, N-CH, 650V, 240A, TO-247-3; DC Collector Current: 240A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 882W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current240 A
Max Collector Current240 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation882 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation882 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height24.85 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité