onsemi FGY100T65SCDT
$ 7.21
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FGY100T65SCDT-ND | 68 | 1 | Tube | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FGY100T65SCDT | 0 | 113 | Bulk | ||||||||
| Master Electronics | FGY100T65SCDT | 0 | 113 | |||||||||
| Arrow Electronics | FGY100T65SCDT | 0 | 450 | |||||||||
| Farnell | FGY100T65SCDT | 0 | 450 | Tube | 1d |
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Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FGY100T65SCDT fournies par ses distributeurs.
IGBT, Field Stop Trench, Short Circuit Rated, 650 V, 100 A FS3TIGBT TO247 100A 650V
FS3TIGBT TO247 100A 650V / IGBT Trench Field Stop 650 V 200 A 750 W Through Hole TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT TRENCH FS 650V 200A TO247-3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current200 A
Max Collector Current200 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation750 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation750 W
Turn-Off Delay Time216 ns
Turn-On Delay Time84 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité