onsemi FGPF50N33BTTU
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-01
LTD Date2021-04-01
Descriptions
Descriptions de onsemi FGPF50N33BTTU fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N=-CH 330V 50A 43000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
FGPF50N33BT Series 330 V 50 A Flange Mount PDP Trench IGBT - TO-220F
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
RAIL/N-CH/330V 50A 3rd Gen PDP trench IGBT
IGBT, 50A, 330V, N-CHANNEL, TO-2
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.270003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage330 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)330 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width2.74 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité