onsemi FGP20N60UFDTU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-10-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTGP20V60F
V Series 600 V 20 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220
onsemiSGP6N60UFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
onsemiSGS6N60UFDTU
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
onsemiFGP20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGF20H60DF
H Series 600 V 40 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220FP
Descriptions
Descriptions de onsemi FGP20N60UFDTU fournies par ses distributeurs.
FGP20N60UFD Series 600 V 40 A Flange Mount Field Stop IGBT - TO-220-3
165W 40A 600V FS(Field Stop) TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, 40A, TO-220-3; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 165W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins;
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s field stop IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Max Collector Current40 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation165 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation165 W
Reverse Recovery Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time87 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité