onsemi FGAF40N60UFTU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-03-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FGAF40N60UFTU fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGAF40N60UFTU IGBT Single Transistor, General Purpose, 40 A, 600 V, 100 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins
IGBT,N CH,FAST W/DIO,600V,40A,TO-3PF; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3PF; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Max:100W
Fairchild's UF series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UF series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature. Product Highlights: High speed switching Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.3 V @ IC = 20A High input impedance
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.962 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time250 ns
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation100 W
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height26.5 mm
Length15.5 mm
Width5.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité