onsemi FGA90N30DTU
$ 2.194
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +0.00%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FGA90N30DTU.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FGA90N30DTU, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Pièces détachées
Rochester ElectronicsIRG6B330UDPBF
330V UltraFast Copack Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-220AB package
Descriptions
Descriptions de onsemi FGA90N30DTU fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 300V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
IGBT 300V 90A 219W Through Hole TO-3P
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGA90N30DTU IGBT Single Transistor, 90 A, 1.4 V, 219 W, 300 V, TO-3P, 3 Pins
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel
IGBT, TO-3P; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:300V; Current Ic Continuous a Max:90A; Voltage, Vce Sat Max:1.4V; Power Dissipation:219W; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:300V; Current Ic @ Vce Sat:20A; Current, Icm Pulsed:220A; No. of Pins:3; Pin Configuration:With flywheel diode; Power, Pd:219W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.57°C/W; Time, Fall:110ns; Time, Rise:200ns; Transistors, No. of:1
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +0.00%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.9 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Continuous Collector Current90 A
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current90 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation219 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation219 W
Reverse Recovery Time21 ns
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height23.6 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FGA90N30DTU.
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité