onsemi FGA25N120ANTDTU

Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
AvnetFGA25N120ANTDTU0450
10h
FarnellFGA25N120ANTDTU01
7h
element14 APACFGA25N120ANTDTU01
20h
Microchip USAFGA25N120ANTDTU117150Tray
6d
Component Stockers USAFGA25N120ANTDTU16 814
>1wk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FGA25N120ANTDTU.

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans
Datasheet9 pagesIl y a 21 ans

IHS

Fairchild Semiconductor

Newark

Farnell

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30

Pièces détachées

InfineonIRG7PH35UD1PBF
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
Détails
onsemiFGH25T120SMD-F155
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
onsemiHGTG11N120CND
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 1200V 43A 298W TO247
Détails
onsemiHGTP10N120BN
Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails
onsemiHGTG11N120CN
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Détails
International RectifierIRG7PH35UD1-EP
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FGA25N120ANTDTU fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N=-CH 1200V 50A 312000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
Verical
Transistor IGBT Chip N Channel 1.2k Volt 50 Amp 3-Pin 3+ Tab TO-3PN Rail
Jameco
FGA25N120ANTD Series 1200 V 50 A Flange Mont NPT Trench IGBT - TO-3PN
Future Electronics
In a Pack of 2, ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-3P
Jak Electronics
IGBT, NPT, TO-3PN; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:312mW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-3PN; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:50A; Package / Case:TO-3PN; Power Dissipation Max:312W; Power Dissipation Pd:312mW; Pulsed Current Icm:90A; Rise Time:60ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
element14 APAC
Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating, microwave oven, etc.
North Star Micro

Images

Farnell
TME
TME
RS
Jameco
Rochester Electronics
UTSource
South Microelectronics
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FGA25N120ANTDTU.