onsemi FDZ375P
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-04-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMN2B14FHTA
N-channel 20 V 0.055 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
Diodes Inc.ZXMN2A03E6TA
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.7 A, 0.055 ohm, SOT-26, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi FDZ375P fournies par ses distributeurs.
P-Channel PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET, 1.5V Specified, -20V, -3.7A, 78mΩ
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 4-Pin WLCSP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.7W(Ta) 8V 1.2V@ 250µA 15nC@ 4.5V 1individualPChannel 20V 78mΩ@ 2A,4.5V 3.7A 865pF@10V BGA SMD mount 1mm*1mm*150μm
MOSFET, P CH, 20V, 3.7A, WL-CSP 1X1; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-500mV; Power Dissipation Pd:1.7W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:WL-CSP; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ375P minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low gate charge, and low rDS(on).
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight68.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance865 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-500 mV
Number of Elements1
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max78 mΩ
Rise Time8.2 ns
Threshold Voltage-500 mV
Turn-Off Delay Time138 ns
Turn-On Delay Time5.3 ns
Dimensions
Height400 µm
Length1 mm
Width1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité