onsemi FDU6N25
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-03-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRFU220NPBF
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDU6N25 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 250 V, 4.4 A, 1.1 Ω, IPAK
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
50W(Tc) 30V 5V@ 250µA 6nC@ 10 V 1individualNChannel 250V 1.1Ω@ 2.2A,10V 4.4A 250pF@25V TO-251 Through hole mounting 6.8mm*2.5mm*6.3mm
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight539 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time34 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height7.57 mm
Length6.8 mm
Width2.5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité