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Vishay IRFU220PBF

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
$ 0.425
Production
Fiche technique
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Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Arrow Electronics
IRFU220PBF
7 341
1
USD
1,489
0,951
0,631
0,425
0,381
Verical
2
IRFU220PBF
7 320
24
USD
0,627
0,423
0,379
Newark
IRFU220PBF
1 276
1
USD
1,650
1,030
0,821
0,601
0,601
TME
2
IRFU220PBF
452
1
USD
1,440
0,889
0,693
0,570
0,457
18h
TTI
IRFU220PBF
0
3K
Tube
USD
0,563
1d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Vishay IRFU220PBF.

Newark

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Datasheet8 pagesIl y a 17 ans
Datasheet11 pagesIl y a 11 ans

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Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30

Pièces détachées

InfineonIRFU220NPBF
Single N-Channel 200 V 600 mOhm 23 nC 4HEXFET® Power Mosfet - TO-251
Détails
VishayIRFU210PBF
Single N-Channel 200 V 1.5 Ohm Through Hole Power Mosfet - TO-251-3
Détails
onsemiFQU7N20TU
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Détails
onsemiIRFU220BTU-AM002
Power MOSFET, N-Channel, B-FET, 200 V, 4.6 A, 0.9 Ω, IPAK
Détails
VishayIRFU214PBF
IRFU214 Series N-Channel 250 V 2 Ohm 2.5 W Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Détails
onsemiFQU10N20LTU
MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Vishay IRFU220PBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
IHS
2.5W(Ta)£¬42W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1individualNChannel 200V 800m¦¸@ 2.9A,10V 4.8A 260pF@25V TO-251AA Through hole mounting
UnikeyIC
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:4.8A; On Resistance, Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:IPAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 200V, 4.8A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:4.8A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:13ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3°C/W; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:42W; Power Dissipation Pd:42W; Pulse Current Idm:19A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:19ns; Turn On Time:7.2ns; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Images

Vishay
Newark
Farnell
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
iiiC
Future Electronics

Alias du fabricant

Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFU220PBF.