onsemi FDS8978
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8978 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30 V 18 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC / Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 7.5A, 18mΩ
1.6W 20V 2.5V@ 250µA 26nC@ 10V 2individualNChannel 30V 18mΩ@ 7.5A,10V 7.5A 1.27nF@15V SOIC-8 SMD mount 4.9mm*3.9mm*1.75mm
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 7.5A, SOIC-8; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.5A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.014ohm; Rds(on) Test; Available until stocks are exhausted
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.27 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité