onsemi FDS6990A
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 16 hours ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 16 hours ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6990A fournies par ses distributeurs.
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 7.5A, 18mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
DUAL N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:7.5A; On Resistance, Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:7.5A; Current Id Max:7.5A; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:FDS6990A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V; Voltage Vgs th Min:1V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max18 mΩ
Resistance18 MΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité