onsemi FDS8958A

Name: onsemi FDS8958A
Brand: onsemi
SKU: FDS8958A

Mosfet N/p-ch 30V 7A/5A 8SOIC / Trans Mosfet N/p-ch 30V 7A/5A 8-PIN SOIC T/r

$ 0.3

EOL

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	2	FDS8958A	134 095					0,361	0,300	0,267	15m
Newark	2	FDS8958A	0	2500	Cut Tape					0,486
element14 APAC	3	FDS8958A	0	1	Tape & Reel	874,89*	874,89*	874,89*	874,89*	874,89*	18h
Farnell	4	FDS8958A	0	1	Custom Reel	704,45*	704,45*	704,45*	704,45*	704,45*	11h
Microchip USA		FDS8958A	473	3K	Bulk					0,792	4d

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1998-06-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 8 hours ago)

LTB Date2024-06-22

LTD Date2024-12-22

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 8 hours ago)

Pièces détachées

onsemiFDS6912A

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 6A, 28mΩ

Détails

onsemiFDS6930B

Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET, 30V, 5.5A, 38mΩ

Détails

InfineonIRF9389TRPBF

MOSFET, 30V, N+P, 27 m and -64 m , 6.8A and -4.6A, SO-8, TAPE & REEL

Détails

onsemiFDS6930A

Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 5.5A, 40mΩ

Détails

VishaySI4346DY-T1-E3

Single N-Channel 30 V 0.023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDS8958A fournies par ses distributeurs.

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC / Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8-Pin SOIC T/R

Win Source

Dual N & P-Channel 30 V 0.028 Ohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id N Channel 2:7A; Cont Current Id P Channel:5A; Current Id Max:7A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:2; On State Resistance N Channel Max:28mohm; On State Resistance P Channel Max:52mohm; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:20A; Pulse Current Idm N Channel 2:20A; Pulse Current Idm P Channel:20A; SMD Marking:FDS8958A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V

element14 APAC

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

FDS8958A.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)7 A

Current Rating7 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance28 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage30 V

Fall Time9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance575 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.9 V

Number of Channels2

Number of Elements2

PackagingCut Tape

Power Dissipation2 W

Rds On Max28 mΩ

Resistance28 mΩ

Rise Time13 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage1.9 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Dimensions

Height1.75 mm

Length5 mm

Width4 mm

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Farnell

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A