onsemi FDS8842NZ
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS8842NZ fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 14.9A, 7.0mΩ
N-Channel 40 V 7 Ohm Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH Si 40V 14.9A 8-Pin SOIC T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 14.9A, 150度 C, 2.5W;
MOSFET'S - SINGLE MOSFET'S TRANSISTORS;
Fet 30V 7.0 Mohm So8 Rohs Compliant: Yes
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
The FDS8842NZ has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max7 mΩ
Resistance7 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9 mm
Width3.9 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité