onsemi FDS6975
$ 0.605
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +46.36%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi FDS6975, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7319PBF
Dual N/P-Channel 30V 0.029/0.058 Ohm 22/23 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI4214DY-T1-GE3
Si4214DY Series Dual N-Channel 30 V 0.0235 Ohm 3.1 W Power Mosfet - SO-8
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS6975 fournies par ses distributeurs.
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -6A, 32mΩ
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 6A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-6A; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1.7V ;RoHS Compliant: Yes
These P-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for notebook computer applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.
MOSFET, DUAL, PP, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:PP; Voltage, Vds Typ:-30V; Current, Id Cont:6A; Resistance, Rds On:0.032ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-1.7V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Current, Idm Pulse:20A; No. of Pins:8; Power Dissipation:2W; Power, Pd:2W; SMD Marking:FDS6975; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:-3V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +46.36%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Current Rating-6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.7 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation2 W
Rds On Max32 mΩ
Resistance32 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.7 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité