onsemi FDFS6N548
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDFS6N548 fournies par ses distributeurs.
Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode 30V, 7A, 23mΩ
N-Channel 30 V 23 mOhm Integrated PowerTrench® Mosfet SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, N, FETKY, SMD, SO-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7A; Resistance, Rds On:0.019ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1.8V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Max:30A; Current, If AV:2mA; Power Dissipation:2mW; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vf Max:0.45V; Voltage, Vgs th Max:2.5V
The FDFS6N548 combines the exceptional performance of Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8 package. This device is designed specifically as a single package solution for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate charge MOSFET with very low on-state resistance. The independently connected Schottky diode allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Forward Current2 mA
Forward Voltage450 mV
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max23 mΩ
Resistance23 MΩ
Rise Time2 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité