onsemi FDS3512
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDS3512 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 4.0A, 70mΩ
2.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 18nC@ 10 V 1N 80V 70m¦¸@ 4A,10V 4A 634pF@40V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,4A I(D),SO
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance634 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max70 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité