onsemi FDPF5N50NZ
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EOL
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDPF5N50NZ | 1 480 | 1137 | 17h | ||||||||
| Verical | FDPF5N50NZ | 72 771 | 316 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDPF5N50NZ | 408 923 | 15h | |||||||||
| Flip Electronics | FDPF5N50NZ | 370 | 5d | |||||||||
| Farnell | FDPF5N50NZ | 0 | 1 | 15h |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
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$ 0.889
$ 0.439
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Stock
2,294,005
659,460
659,460
Authorized Distributors
5
4
4
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
500 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
4.5 A
5.5 A
5.5 A
Threshold Voltage
-
4.5 V
4.5 V
Rds On Max
1.5 Ω
1.5 Ω
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
30 V
30 V
Power Dissipation
30 W
28 W
28 W
Input Capacitance
440 pF
632 pF
632 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-03-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
VishaySIHF5N50D-E3
MOSFET, N-CH, 500V, 5.3A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
VishaySIHP5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Descriptions
Descriptions de onsemi FDPF5N50NZ fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 4.5 A, 1.5 Ω, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
UniFET2 500V N-channel MOSFET, TO220F Single gage
500 V, 4.5 A, 1.5 OHM N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.5A, TO-220; N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.5A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.38ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance440 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité