onsemi FDPF320N06L
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-12-29
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FDPF320N06L fournies par ses distributeurs.
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 60V, 21A, 25mΩ
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Rail/60V 32Mohm To220F 3L Single Gauge Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDPF320N06L
N-Channel 60 V 21A (Tc) 26W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 60V, 21A, TO-220F;
onsemi NChannel EnhancedMOSTube PowerTrenchseries, Vds=60 V, 21 A, TO-220Fencapsulation, Through hole mounting, 3Pin
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.47 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation26 W
Rds On Max25 mΩ
Rise Time34 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité