onsemi FDP8443-F085
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySUP90N04-3M3P-GE3
MOSFET,N CH,W DIODE,40V,90A,TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
InfineonIRF1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.7Milliohms;ID 190A;TO-220AB;PD 220W;-55de
InfineonIRL1404ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 2.5Milliohms;ID 200A;TO-220AB;PD 230W;-55de
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP8443-F085 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 80A, 3.5mΩ
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET N-CH 40V 20A/80A TO220-3
FDP8443_F085 Fairchild/ON Semiconductor
Nmos To220 40V 3.5 Mohm / Tube
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.31 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation188 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time17.9 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time18.4 ns
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité