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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
InfineonIRF640NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;TO-220AB;PD 150W;VGS +/-20V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP2670 fournies par ses distributeurs.
200V/20V, 130MO, NCH, SINGLE, TO220, 1000A GATE OX
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 200V NCh PowerTrench
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)200 V
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