onsemi FDP18N50
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySIHP14N50D-GE3
MOSFET, N-CH, 500V, 14A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
VishaySIHP15N60E-GE3
180W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 78nC@ 10 V 1N 600V 280m¦¸@ 8A,10V 15A 1.35nF@100V TO-220AB 9.01mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP18N50 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, 500 V, 18 A, 265 mΩ, TO-220
N-Channel 500 V 265 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET NCH 18A 500V TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):265mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:235W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:18A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:235W; Pulse Current Idm:72A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Current18 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance265 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.86 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation235 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation235 W
Rds On Max265 mΩ
Resistance265 MΩ
Rise Time165 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time95 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Voltage500 V
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height20.4 mm
Length10.1 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité