onsemi FDMS86520L
$ 0.996
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDMS86520L | 1 746 | 981 | 3d | ||||||||
| Verical | FDMS86520L | 999 | 250 | |||||||||
| Rochester Electronics | FDMS86520L | 1 500 | 17h | |||||||||
| DigiKey | FDMS86520LFSCT-ND | 834 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FDMS86520L | 1 746 | >1wk |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86520L fournies par ses distributeurs.
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN / Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 22A, 8.2mΩ
FDMS86520L Series 60 V 22 A 8.2 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - Power 56
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 60V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N CH, 60V, 22A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.615 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time5.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité