onsemi FDMS8622
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishayIRFR9120TRLPBF
IRFR9120 Series P-Channel 100 V 600 mOhm 2.5 W Power Mosfet - DPAK (TO-252)
InfineonBSC440N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8 / Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8622 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power Trench® MOSFET 100V, 16.5A, 56mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 100V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N-CH, 100V, 16.5A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16.5A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance56 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance400 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation31 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max56 mΩ
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10.2 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité