onsemi FQD7N10LTM
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-08-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQD7N10LTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 5.8 A, 350 mΩ, DPAK
N-Channel 100 V 0.35 Ohm Surface Mount LOGIC Mosfet - TO-252-3
100V LOGIC N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 100V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 100V, 5.8A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.8A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.27; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.8 A
Current Rating5.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance290 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max350 mΩ
Resistance350 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité