onsemi FDMS86181
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSC040N10NS5ATMA1
On a Reel of 5000, N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
VishaySUM70040E-GE3
VISHAY SUM70040E-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0032 ohm, 10 V, 4 V
VishaySUM70060E-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 131 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB140N08S404ATMA1
80V, N-Ch, 4.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS86181 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 124A, 4.2mΩ
onsemi NChannel EnhancedMOSTube, Vds=100 V, 124 A, PQFN8encapsulation, surface mount, 8Pin
Transistor MOSFET N-CH 100V 124A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 124A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N-CH, 100V, 124A, POWER56-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 124A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)124 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.125 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4.2 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité